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   在潔凈的環(huán)境下制備薄膜，是保證薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)之一。凈化間的定義最初是由美國開發(fā)的聯(lián)邦標準209版(Federal Standard 209)。后來發(fā)展為以單位體積中存在一定直徑以上的顆粒數(shù)為基礎的凈化間級別的定義。凈化間級別的米制版如表4一18所列。圖4一19的縱坐標表示單位體積中的粒子數(shù)，右邊對應英制，左邊對應米制。按照聯(lián)邦標準209E，每立方英尺中0.5μm以上的粒子數(shù)100個、10000個、100000個分別對應于FS100, FS10000和FS100000。這就是我們常用到的100級、10000級和100000級。
   隨著對凈化間的要求越來越高，對凈化間標準規(guī)定的越來越細。近年來，規(guī)定按每立方米中0.1μm以上的粒子數(shù)，分別對應為新1級(10個)、新2級(100個)、新3級(1000個)、新4級(10000個)等，見圖4一20的左邊.
   在薄膜制備中，采用什么環(huán)境最合適。需要根據(jù)具體情況而定。如對于半導體、集成電路等的薄膜制作，應該在新5級(FS100)一新6級(FS1000)的潔凈室進行基片清洗，在優(yōu)于新3級(FS1)的潔凈環(huán)境中進行鍍膜。因此，必須從制備薄膜的需要來確定清潔度和設計工作間。